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倍率: 20 unit - 2,000,000 unit
空间分辨率: 0.6, 0.8, 0.9 nm
随着快速数据采集和数据处理技术的发展，电子显微镜进入了一个不仅重视数据质量，而且注重其采集过程的时代。SU8700作为一款面向新时代的SEM，在日立电镜贯有的高图像质量和高稳定性的基础上，增加了包括自动获取数据等高通量的功能。 超高分辨观察和超强分析能力 日立的高亮度肖特基场发射电子枪可同时支持超高分辨观察和快速微束分析。在不使用样品台减速的情况下，仅用0.1 kV的低加速电压仍可进行高分辨观察，适应更多应用场景。同时，可搭配多种新型探测器和其他丰富的选配项，满足更多的观测需求。 ...
倍率: 60,000, 50,000, 10,000, 15,000, 30,000 unit
空间分辨率: 4, 5 nm
... 的图像分辨率。 全新开发的用户界面和电子光学系统让您深切体验其高性能。 特点 FlexSEM 1000 II，凭借全新设计的电子光学系统和高灵敏度检测器，可在加速电压20 kV下实现4.0 nm的分辨率。全新开发的用户界面，具有亮度和对焦自动调节功能，可以在短时间内进行各种观察。此外，还搭载了全新的导航功能“SEM MAP”，这个功能可弥补电子显微镜上难以找准视野的缺点，实现最直观的视野移动。 尽管是可放置在桌面上的小巧紧凑型*1电子显微镜，仍可实现4.0 ...
倍率: 10 unit - 250,000 unit
重量: 54 kg
长度: 614, 617 mm
... 搭配自动马达台，可实现低倍率，高精度，大范围的观察分析。 EM 样品台（选配） 可轻松观察 STEM 图像 与全新开发的 STEM 样品台和高灵敏度低真空二次电子检测器(UVD)配合使用，可轻松观察小倍率 STEM 图像。 可轻松观察薄膜样品和生物样品。
倍率: 3,000,000 unit
空间分辨率: 0.4, 0.7 nm
专门为电子束敏感样品和需最大300万倍稳定观察的先进半导体器件，高分辨成像所设计。 特点 新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。 用改良的高真空性能和优异的电子束稳定性来实现高效率截面观察。 采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
Hitachi High-Technologies
倍率: 20 unit - 2,000,000 unit
空间分辨率: 0.6, 0.8, 0.9 nm
随着快速数据采集和数据处理技术的发展，电子显微镜进入了一个不仅重视数据质量，而且注重其采集过程的时代。SU8700作为一款面向新时代的SEM，在日立电镜贯有的高图像质量和高稳定性的基础上，增加了包括自动获取数据等高通量的功能。 超高分辨观察和超强分析能力 日立的高亮度肖特基场发射电子枪可同时支持超高分辨观察和快速微束分析。在不使用样品台减速的情况下，仅用0.1 kV的低加速电压仍可进行高分辨观察，适应更多应用场景。同时，可搭配多种新型探测器和其他丰富的选配项，满足更多的观测需求。 ...
Hitachi High-Technologies
倍率: 10 unit - 250,000 unit
重量: 54 kg
宽度: 330 mm
我们以“更高画质、更易于使用、更易于观察”为理念，开发出TM4000系列。在此基础上，我们又推出功能更为多样的TM4000Ⅱ系列。 为您提供全新的观察和分析应用。 操作简单且快捷 观察图像只需 3 分钟。 可快速观察图像，并导出测试报告。. Report Creator可让您轻松制作报告 只需选择图像和模板，就可以制作Microsoft Word、Excel、PowerPoint格式的报告 即便是绝缘物样品，也无需预处理，就可直接进行观察。 “荷电减轻模式”可抑制荷电现象 对于容易产生荷电的样品，可使用“荷电减轻模式”，在抑制荷电的状态下进行观察。 只需用鼠标在软件上点击即可切换到“荷电减轻模式”。 可在低真空的条件下进行二次电子像（表面形状）观察。 无需预处理，也可以观察绝缘物和含水、含油样品的表面 不仅是观察传统的导电性样品，还可以在无预处理的条件下观察绝缘物和含水、含油样品。可快速进行二次电子像与背散射电子像之间的切换。 高感度低真空二次电子检测器 采用高感度低真空二次电子检测器(UVD)。通过检测由于电子线与残留气体分子之间的碰撞而产生的光，可以观察带有二次电子信息的图像。此外，通过控制该检测器，来检测电子照射所产生的光，可以获得CL信息（UVD-CL：带有CL信息的图像）。
Hitachi High-Technologies
空间分辨率: 4, 60, 0.7, 50, 1.5 nm
... 可通过高电流密度FIB实现快速加工（最大束流100nA） 用户可根据自身需求设定加工步骤 3. Micro Sampling System*3 运用ACE技术（加工位置调整）抑制Curtaining效应 控制离子束的入射角度，制备厚度均匀的薄膜样品 4. 实现低损伤加工的Triple Beam System*3 采用低加速（Ar/Xe）离子束，实现低损伤加工 去除镓污染 5. 样品仓与样品台适用于各种样品分析 多接口样品仓（大小接口） 超大防振样品台（150 ...
Hitachi High-Technologies
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