Hitachi样本制备系统

... 该设备用于在 FIB 系统的真空室中用离子束提取微小样品，为 STEM、TEM 等分析准备所需的晶片部件。 特点 FIB 微型取样装置和 FIB 微型取样方法 FIB 微填充取样实例 直接从半导体器件上切割出包括分析点在内的微柱样品。 通过改变 FIB 的入射方向，切割出各种形状的微样品或对其进行修整 系统配置示例 FIB-STEM 系统 新开发的半导体器件评估系统由 ...

采用LCD触摸屏，可以更加简便地设定加工条件 可处理较厚或较大的样品(选配件) 记忆功能可存储常用加工条件

... ZONESEMII 采用实验室友好型占地面积和直观的触摸屏，是任何实验室的安全易用之选。 特点 ZONESEMII 专为日立样本架设计，提供优化的样本清洁和存储操作模式。ZONESEMII 可用作出色的干燥器，防止试样夹脱气。 易于使用的触摸屏面板 可编程长达 24 小时 可变压力控制 污染原因 试样表面的碳氢化合物与照射的电子束之间的相互作用会产生试样污染。在样品处理、制备和储存过程中，碳氢化合物通常会非共价地附着在试样表面。 清洁过程 ZONESEMII ...

... 支持截面铣削和平面铣削，可根据目的制备试样。通过冷却温度控制、空气保护支架装置和各种选项，可以制备各种截面试样。 特点 高铣削率 IM4000II 的截面铣削率*1 为 500 µm/h 或更高。这对传统上需要长时间加工的硬质材料非常有效。 当横截面铣削过程中的摆动角度发生变化时，相应的加工宽度和深度也会发生变化。下图显示了横截面铣削后硅晶片的 SEM 图像。加工条件与上图相同，只是摆动角度从 ...

... 最先进的宽离子束系统，用于制作用于电子显微镜的超高质量横截面或平面铣削样品。 特点 横截面铣削速度：1 毫米/小时！*1 ArBlade 5000 配备了快速铣削氩离子枪，其铣削速率是最先进性能的两倍，从而大大缩短了横截面制备的加工时间。 截面宽度可达 8 毫米！ 针对大面积铣削的要求，例如电子设备应用，我们开发了一种革命性的截面铣削支架设计，用于更大面积的制造。 大面积横截面铣削示例 (试样：电子元件，铣削时间：5 ...

... 台式样品清洁器采用基于紫外线的清洁技术，可最大限度地减少或消除电子显微镜成像中的碳氢化合物污染。ZONE 为分析前的样品制备提供了简单易用的清洁技术，确保从 TEM 样品中获得最佳数据。 概述 由于样品制备或储存的原因，样品表面不可避免地会受到碳氢化合物的污染。ZONETEM II 台式样品清洁器/干燥器可轻柔地去除这些污染，从而揭示样品的真实表面。 ZONETEM II 利用真空控制的紫外线照射，在成像前轻柔快速地 ...