Hitachi自动样本制备系统

... 该设备用于在 FIB 系统的真空室中用离子束提取微小样品，为 STEM、TEM 等分析准备所需的晶片部件。 特点 FIB 微型取样装置和 FIB 微型取样方法 FIB 微填充取样实例 直接从半导体器件上切割出包括分析点在内的微柱样品。 通过改变 FIB 的入射方向，切割出各种形状的微样品或对其进行修整 系统配置示例 FIB-STEM 系统 新开发的半导体器件评估系统由 ...

采用LCD触摸屏，可以更加简便地设定加工条件 可处理较厚或较大的样品(选配件) 记忆功能可存储常用加工条件

... ZONESEMII 台式样品清洁器采用紫外线清洁技术，可最大限度地减少或消除电子显微镜成像中的碳氢化合物污染。 概述 在大气条件下制备、处理或存储样品可能会增加样品上的碳氢化合物堆积，在电子束的作用下，这些碳氢化合物会在样品表面形成厚厚的一层。使用 ZONESEMII 清洁试样表面可以去除碳氢化合物，减少电子束污染的可用分子。防止试样表面污染对于电子显微镜的真实观察至关重要。 ZONESEMII ...

... 支持截面铣削和平面铣削，可根据目的制备试样。通过冷却温度控制、空气保护支架装置和各种选项，可以制备各种截面试样。 特点 高铣削率 IM4000II 的截面铣削率*1 为 500 µm/h 或更高。这对传统上需要长时间加工的硬质材料非常有效。 当横截面铣削过程中的摆动角度发生变化时，相应的加工宽度和深度也会发生变化。下图显示了横截面铣削后硅晶片的 SEM 图像。加工条件与上图相同，只是摆动角度从 ...

... 最先进的宽离子束系统，用于制作用于电子显微镜的超高质量横截面或平面铣削样品。 特点 横截面铣削速度：1 毫米/小时！*1 ArBlade 5000 配备了快速铣削氩离子枪，其铣削速率是最先进性能的两倍，从而大大缩短了横截面制备的加工时间。 截面宽度可达 8 毫米！ 针对大面积铣削的要求，例如电子设备应用，我们开发了一种革命性的截面铣削支架设计，用于更大面积的制造。 大面积横截面铣削示例 (试样：电子元件，铣削时间：5 ...

... 台式样品清洁器采用基于紫外线的清洁技术，可最大限度地减少或消除电子显微镜成像中的碳氢化合物污染。ZONE 为分析前的样品制备提供了简单易用的清洁技术，确保从 TEM 样品中获得最佳数据。 概述 由于样品制备或储存的原因，样品表面不可避免地会受到碳氢化合物的污染。ZONETEM II 台式样品清洁器/干燥器可轻柔地去除这些污染，从而揭示样品的真实表面。 ZONETEM ...