IM4000 II 是一种模块化计算机控制氩离子抛光系统,可根据所需功能配备为纯表面抛光机、截面抛光机或混合系统。离子束能量以 100eV 为单位从 0.1keV 到 6.0keV,可满足从最精细的抛光到较大截面的各种应用需求。在横截面操作中,IM4000 II 在硅材料上的最大去除率可达 500 微米/小时(6keV,掩膜边缘突出 100 微米,平台摆动 ±30°)。可提供自动启动/时间预选、间隔抛光或两级工艺等功能。IM4000 II-CTC 在横截面运行时可选择低至 -100°C 的工艺温度。
产品特点
- 坚固耐用、易于维护的潘宁型离子枪,可独立控制束流和加速电压。允许在所有加速电压(0-6 千伏)下使用密集离子束
- 在掩膜上方有 100 微米突出的情况下,在硅材料上的横截面加工深度为每小时 500 微米或更多,平台摆动角度为 +/-30°
- 可在 0° 至 90° 的倾斜角范围内进行表面抛光,角度可在加工过程中改变
- 大样品室,室门连接有完全可伸缩的多轴平台,可容纳各种应用模块
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