自动样本制备系统 IM4000II

用于 SEM冷却离子束铣削

IM4000II 支持截面铣削和平面铣削，可根据目的制备试样。通过冷却温度控制、空气保护支架装置和各种选项，可以制备各种截面试样。 特点 高铣削率 IM4000II 的截面铣削率*1 为 500 µm/h 或更高。这对传统上需要长时间加工的硬质材料非常有效。 当横截面铣削过程中的摆动角度发生变化时，相应的加工宽度和深度也会发生变化。下图显示了横截面铣削后硅晶片的 SEM 图像。加工条件与上图相同，只是摆动角度从 ±30˚ 减小到 ±15˚。结果表明，加工深度比上述结果更深，因此对于快速制备目标结构远离顶面的试样横截面非常有效。 混合铣削 横截面铣削 通过溅射（铣削）试样超出掩膜边缘的突出部分，可以获得原始表面。通过平行于试样加工表面的离子束照射，即使对不同成分的复杂材料也能进行平整光滑的铣削。 主要用途 在局部感兴趣区域 (ROI) 制作横截面试样 制备其他方法难以抛光的横截面试样（复合材料、多层界面、纸张/薄膜等） 平面铣削 在平面铣削中，通过离子束的偏心和旋转试样中心点，可以加工比横截面铣削更宽的区域。