FIB/SEM显微镜 NX2000SEMFIB检查
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产品规格型号
- 类型
- SEM, FIB
- 应用
- 实验室, 用于研究, 检查
- 观测技术
- SIM
- 配置
- 落地式
- 电子源
- 冷场发射
- 探测器类型
- 背向散射电子, 二次电子
- 空间分辨率
2.8 nm, 3.5 nm, 4 nm, 60 nm
产品介绍
NX2000 是专为半导体应用（利用 KLARF 坐标导入进行缺陷分析、TEM 薄片提取、器件开发）而优化的 FIB-SEM。样品台的 X、Y 行程为 205 x 205 毫米，甚至可以在不旋转样品的情况下对 200 毫米晶片进行全表面处理。垂直安装的 Ga FIB 可在 30 kV 电压下提供高达 100nA 的离子电流。FE-SEM 柱配备了冷场发射器。
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