生产集成系统 PlasmaPro 100 PECVD

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。 高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆 成本低且易于维护 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺 高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途 用于高亮度LED 生产的硬掩模沉积和刻蚀 通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底 在维持低气压的同时，允许使用较高的气体通量 高度可变的下电极 充分利用等离子体的三维特性，在最优的高度条件下，衬底厚度最大可达10mm 电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C），可通过液氮，液体循环制冷机或电阻丝加热 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换 由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极 出色的衬底温度控制 射频功率加载在喷头上，同时优化气体输送 提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺，可精确控制薄膜应力 ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm 确保最大200mm晶圆的工艺均匀性 高抽气能力 提供了更宽的工艺气压窗口 晶圆压盘与背氦制冷 更好的晶片温度控制