电子显微镜检查样本制备系统

... 创新的 ZONETEM II 台式样品清洁器采用基于紫外线的清洁技术，可最大限度地减少或消除电子显微镜成像中的碳氢化合物污染。ZONE 为分析前的样品制备提供了简单易用的清洁技术，确保从 TEM 样品中获得最佳数据。 概述 由于样品制备或储存的原因，样品表面不可避免地会受到碳氢化合物的污染。ZONETEM II 台式样品清洁器/干燥器可轻柔地去除这些污染，从而揭示样品的真实表面。 ZONETEM II 利用真空控制的紫外线照射，在成像前轻柔快速地 "清洁 "样本表面，无需使用任何化学品、供气或试剂。第二代 ...

... 该设备用于在 FIB 系统的真空室中用离子束提取微小样品，为 STEM、TEM 等分析准备所需的晶片部件。 特点 FIB 微型取样装置和 FIB 微型取样方法 FIB 微填充取样实例 直接从半导体器件上切割出包括分析点在内的微柱样品。 通过改变 FIB 的入射方向，切割出各种形状的微样品或对其进行修整 系统配置示例 FIB-STEM 系统 新开发的半导体器件评估系统由 FB2200 FIB 系统和 HD-2700 200 kV STEM 组成。该系统可在数小时内完成从搜索缺陷点到分析亚纳米级结构的整个过程。 ...

采用LCD触摸屏，可以更加简便地设定加工条件 可处理较厚或较大的样品(选配件) 记忆功能可存储常用加工条件

... ZONESEMII 台式样品清洁器采用紫外线清洁技术，可最大限度地减少或消除电子显微镜成像中的碳氢化合物污染。 概述 在大气条件下制备、处理或存储样品可能会增加样品上的碳氢化合物堆积，在电子束的作用下，这些碳氢化合物会在样品表面形成厚厚的一层。使用 ZONESEMII 清洁试样表面可以去除碳氢化合物，减少电子束污染的可用分子。防止试样表面污染对于电子显微镜的真实观察至关重要。 ZONESEMII 利用真空控制的紫外线照射和活性氧，在成像前温和地去除试样表面的碳氢化合物，而无需使用任何化学品或试剂。第二代 ...

... IM4000II 支持截面铣削和平面铣削，可根据目的制备试样。通过冷却温度控制、空气保护支架装置和各种选项，可以制备各种截面试样。 特点 高铣削率 IM4000II 的截面铣削率*1 为 500 µm/h 或更高。这对传统上需要长时间加工的硬质材料非常有效。 当横截面铣削过程中的摆动角度发生变化时，相应的加工宽度和深度也会发生变化。下图显示了横截面铣削后硅晶片的 SEM 图像。加工条件与上图相同，只是摆动角度从 ±30˚ 减小到 ±15˚。结果表明，加工深度比上述结果更深，因此对于快速制备目标结构远离顶面的试样横截面非常有效。 混合铣削 横截面铣削 通过溅射（铣削）试样超出掩膜边缘的突出部分，可以获得原始表面。通过平行于试样加工表面的离子束照射，即使对不同成分的复杂材料也能进行平整光滑的铣削。 主要用途 在局部感兴趣区域 ...

... 最先进的宽离子束系统，用于制作用于电子显微镜的超高质量横截面或平面铣削样品。 特点 横截面铣削速度：1 毫米/小时！*1 ArBlade 5000 配备了快速铣削氩离子枪，其铣削速率是最先进性能的两倍，从而大大缩短了横截面制备的加工时间。 截面宽度可达 8 毫米！ 针对大面积铣削的要求，例如电子设备应用，我们开发了一种革命性的截面铣削支架设计，用于更大面积的制造。 大面积横截面铣削示例 (试样：电子元件，铣削时间：5 小时） 混合模型：可提供双铣削配置 全新的离子研磨系统配备了截面研磨和平面研磨两种模式，可满足最复杂的应用需求。 ArBlade ...

Leica EM KMR3 采用平衡断裂法，确保制备出优质的玻璃刀，有三种规格玻璃条可供选择：6.4mm，8mm，10mm。 简单易用 Leica EM KMR3简单易用，当断裂完成，压力旋钮和切割滚轮可自动复位，防止误操作。 可重复高品质玻璃刀 在断裂过程中，在玻璃条两侧的断裂触点始终保持对称、相等的压力。 操作方便 特别的抽屉式设计，使取出制作好的玻璃刀的过程安全方便，不需要借助其他工具。 操作简单 压力旋钮和切割滚轮可自动复位，有效防止误操作。

新版 EM TIC 3X 恪守我们的格言：与用户合作，使用户受益”，以注重实用性的方式将性能和灵活性理想融合。 最新的 EM TIC 3X 切割速度翻倍，根据您的应用需求提供五种不同的载物台供您选择，实用性得到进一步提升。 可复制的结果 Leica EM TIC 3X 三离子束切割仪可制备横切面和抛光表面，用于扫描电子显微镜 (SEM)、微观结构分析 (EDS、WDS、Auger、EBSD) 和 AFM 科研工作。 使用 Leica EM TIX ...